В петербургском Университете ИТМО впервые в России вырастили объёмный монокристаллический слиток оксида галлия. До недавнего времени такой материал умели получать только в трёх странах: Японии, США и Германии.
Как сообщает 3 июля пресс-служба комитета по науке и высшей школе, работа над получением первого отечественного объёмного монокристалла Ga2O3 заняла около пяти лет.
ПоделитьсяИнтерес к созданию кристаллов Ga2O3 возник в середине 2010-х годов, когда японцы опубликовали статьи о свойствах этого полупроводника и его преимуществах для использования в различных устройствах, например в силовой электронике и солнечно-слепых фотодетекторах.
«Оксид галлия перспективен для приборов силовой электроники, — рассказывает один из авторов полученного результата младший научный сотрудник мегафакультета фотоники Университета ИТМО Дмитрий Панов, — большая ширина запрещенной зоны делает оксид галлия и приборные структуры на его основе более устойчивыми к воздействию ионизирующих излучений, что открывает перспективы для применения этого материала в сфере электроники для ядерной промышленности и космической электроники».
Россия стала четвёртой страной, где научились выращивать монокристаллы оксида галлия. Теперь необходимо закрепить технологию и выходить на коммерческих партнеров, которые могли бы организовать производство.
